第83章 芯片实验工厂？那必须不设限度予以支(第3/5 页)

类思维模型训练到今天，已经出现了一定的瓶颈，纪弘也已经开始在计划存算三维融合芯片的事情了。

不过，只是简单的勾画纪弘就发现，这种芯片架构，按照现在的芯片制作流程几乎不可能实现。

半导体倒也没错，只是，如果真要按现有方法制作的话，要想达到三维融合的效果，就得改变现有芯片“层”这个概念。

现在芯片设计的是为了提高存储密度而设计的，通常用在存储芯片中。

比如长存，就设计出232层的固态存储芯片，单个 NAND芯片可以拥有多大TB级的容量。

再有就类似于华为的那项芯片层叠技术，它是为了解决制程不够这个问题的。

不管是存储芯片的层，还是芯片堆叠，他们的目的都是为了单位面积内的更多晶体管数量。

华为的这种芯片堆叠，层与层之间并没有什么联系，甚至可以看作是两片芯片物理上叠在了一起，甚至，层与层之间是完全要隔绝要绝缘的。

而存储芯片的层，层与层之间虽然有联系，但是他们之间的联系是统一规则、设计一致的，那么直接往上堆就可以，甚至可以做成几百层都没关系。

但多维融合芯片的架构则完全不同，它不仅需要的层数多，而且层与层之间也需要非常多的联系—这种联系是需要实现某种设计理念或功能的，结构非常的繁琐且复杂。